氧化铍本身具有极高的热导率（理论值可达330 W/m·K），远高于氧化铝（Al₂O₃）的24 W/m·K和氮化铝（AlN）的180 W/m·K。这使得氧化铍AMB基板在散热性能上具备先天优势，尤其适用于极端高温或大功率场景下的热管理需求。其次，BeO陶瓷具有高介电强度，可在高压环境下保持稳定的绝缘性能，适合高电压功率模块（如轨道交通、电力传输设备）的应用。

并且氧化铍陶瓷的热膨胀系数与硅（Si）接近，能有效降低封装过程中因热应力导致的界面开裂风险，提升器件的长期可靠性。AMB技术通过活性金属钎焊实现铜层与陶瓷的冶金结合，结合强度高（剥离强度＞10 N/mm），可克服BeO与铜直接键合的难度。相较于传统DBC工艺，AMB的化学反应层进一步增强了界面可靠性。