金刚石凭借其超高导热性能成为AMB覆铜板的理想基材。其中，单晶金刚石的导热率高达 2000-2200 W/(m·K)，是目前已知导热性能最优异的材料，能够快速将芯片产生的热量传导至散热层，显著降低系统热阻。此外，金刚石的热膨胀系数（1-2 ppm/K）与常用半导体材料（如Si、SiC、GaN）高度匹配，可有效减少热循环过程中因热失配导致的应力开裂问题。在电学性能方面，金刚石的电阻率高达 10¹⁶ Ω·cm，介电强度超过 10MV/cm，使其成为高压应用的理想选择。同时，作为自然界最硬的材料（莫氏硬度10），金刚石具有极高的抗压强度和耐磨性，能够承受严苛的机械环境。金刚石还具备优异的化学稳定性，耐酸、耐碱，且在高温下不易氧化（抗氧化温度可达 600°C以上），适用于高温、腐蚀性等恶劣工作环境。

金刚石基AMB覆铜板通过结合超高导热性、优异绝缘性和热膨胀匹配性，成为下一代高功率电子封装的核心材料。单晶金刚石适合对性能要求极高的应用场景，而多晶金刚石则在成本与性能之间提供了良好平衡，推动电力电子器件向更高效率、更小尺寸方向发展。

应用领域：电机控制器、车载充电器（OBC）的功率模块；高频高功率放大器（如GaN HEMT）的散热基板；耐极端温度与辐射的电子系统。